用场管最好,但成本通常会高些

看这样的FET够牛不？

仅2×2mm的贴片，可承受1.5A固定电流（瞬间可承受6A电流），阈值电压≦1.5V，

VGS=2.5V时，d-s间导通电阻为0.34Ω.

to 【18楼】wajlh：

ULN2803的内部电路就是2楼画的达林顿形式，当Ic=350mA时c-e间饱和压降最大就可能达1.6V，可以估算出此时的管耗有多大！

手册说每路最大允许流500mA，并不等于说8路总和可达4A，这种芯片如果耗2W的话，几乎可以肯定温升会超过100℃！

【17楼】牛仔提的改动一下达林顿管接法的案是很好的，减少一个发射结压降0.7V结果就大不相同了。

至于MOS管的开启电压通常＞8V是老黄历了，这年头VGS(th)＜2.5V的FET比比皆是。场效应管的d-s压降极小可以避免发热，是不错的选择（除了可能稍贵些外）。

ULN2803驱动不是更好吗？两路并联即可达到1A的电流输出能力，同时内部集成了反向的二极管，四片ULN2803即可搞定16路输出。

而且占用的PCB面积比用贴片三极管大不了多少，成本也不高。

MOS管要选用低开启电压型，否则发热更甚。一般的MOS管VGS>8V才能完全导通！倒不如就用达林顿形式，不过不能用2楼形式，要稍作改动。两个管的集电极不要连在一起，把前面一个管的集电极通过一电阻（220左右）接到电源5V即可，这样后级管的饱和压降才能保证小于0.3V，当然，后级管要选用Icm大一点的管如TIP41、2N3055等，不要用8050的0.8A管了，一点裕量都没有。