RW1820兼容DS18B20温度传感器,发个stc15w408的c51测试程序供参考

1楼-- · 2020-01-16 22:07

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//  RW18b20读写函数
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//stc15w408as_IRC_11.0592Mhz测试

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//延时函数  !!!延时根据不同Crystal和不同mcu要调整!!!
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void delay18(unsigned int count)
{
unsigned char i;

while(count--)
{
      for(i=0;i<3;i++)
      {
         _nop_();
         _nop_();
         _nop_();

         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_(); //延长延时时间，现在旧探头也能用了!!!
         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();

         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_(); //再增加延时时间，避免长线出现断数据问题！
         _nop_();_nop_();_nop_();_nop_();_nop_();
      }
}
}

//i=24=>2us
void delay_1us(unsigned int i)//us级延时
{
while(i--) ;//精确延时
}
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//第二个温度探头
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Init_DS18B20_1(void)//复位(通讯)
{
unsigned char x=0;

DQ = 1;    //端口I/O先拉高,准备复位
delay18(4); //80us

DQ = 0;    //通讯复位低电平
delay18(28);//(28)=550us时隙
            //(30)=590us

DQ=1;//加此句后,0xcc和0x44发送数据命令正确!!! //DQ==1表示释放总线???

x=DQ;    //如果x=0:则初始化成功;
//if(x==) //如果x=1:       失败;

delay18(15);//补偿
}
//写字节
WriteOneChar_1(unsigned char my_dat)//写一个字节
{
unsigned char i=0;
unsigned char j=0;
                     //0xcc=>204=>0b_1100_1100
                     //==>写入的第一位数据，LSB应该是“0”值啊,示波器看到“1”值??????
EA=0;

for (i=8; i>0; i--) //先写LSB低位,最后MSB
{
      DQ = 0;       //写0
      delay_1us(2); //就算要写“1”也得先发一个2.5us以上的L电平
                     //(1)=4~5us;(2)=8us;
      DQ = my_dat & 0x01;//写1
      //---------------------------------

      delay18(3);    //读写时隙78us(5T)
      //---------------------------------    //5T+
      DQ = 1;       //强制为1  恢复Trec    //恢复至少3us间隙,是由主机发出1高电平么??????
      delay_1us(2); //(3)=7us间隔恢复时间

      my_dat >>= 1; //写数据右移一bit，最后第8次是MSB写入
}

EA=1;
}
//读字节
ReadOneChar_1(void)//读一个字节
{
unsigned char i=0;
unsigned char my_dat = 0;

EA=0;

DQ=1;          //释放总线             //有无以下两句指令,无影响
delay18(2);    //延时
//---------------------------------
for(i=8;i>0;i--) //先读LSB低位,最后MSB
{
      my_dat >>= 1; //数据移1位          //读到的LSB数据向右移位,这样8次以后，最后读到的MSB在最高位

      DQ = 0;       //主机拉低总线       //按pdf_P27页要求,至少保持>3us低电平,后,主机要"释放总线"
      //---------------------------------
      delay_1us(1); //保持20us    //在1T位置,做采样时间点

      DQ=1;          //释放总线             //zxy若无此两句,温度永远显示为0值,即,主机没有释放总线!!!
      delay_1us(3); //延时10us左右       //何云成:疑问???

      if( DQ )       //==1                //采样!!!
         my_dat |= 0x80;

      delay18(3);    //读写时隙78us       //保持4T,读时隙宽度
      //---------------------------------
      DQ=1;          //5T以后，强制1电平    //T_rec>3us满足此条件!!!
      delay_1us(2); //(2)=8us维持，以便下一bit读取
}

EA=1;

return(my_dat);
}
ReadTemperature_1(void)//读取RW1820温度值
{
unsigned char a=0;
unsigned char b=0;
unsigned int t=0;
long int tt=0;

//Delay(85);          //等待80ms???再读温度＝＝》没有任何改善???
//while(DQ==0)  ;    //用此条件判读，亦无改善！！！
//---------------------------------
Init_DS18B20_1();    //复位

WriteOneChar_1(0xCC); //跳过ROM
WriteOneChar_1(0xBE); //读暂存器

a=ReadOneChar_1();    //L(温度值)
b=ReadOneChar_1();    //H                //后面值不需要了
//---------------------------------
Init_DS18B20_1();    //复位

WriteOneChar_1(0xCC); //Skip ROM 跳过    //0xcc=>204=>0b_1100_1100
WriteOneChar_1(0x44); //C-T启动温度转换

//Delay(250);//延时250us //何云成:疑问??? //zxy:不必要，因为读上一次温度就可以了
//---------------------------------
t=b;
t<<=8;
t=t|a;

//tt=t*0.0625*10;
tt=t*0.625;

t=tt;

return(t);
}