stm32做PVD掉电检测保存数据到flash

2019-12-12 18:17发布

我用STM32做掉电检测,在检测到掉电后保存数据到flash,我已经检测到掉电了,而且已经进入PVD中断了,保存数据的函数也是执行完了的,但为什么就是数据没有保存成功呢?求大神指点!
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73条回答
片羽之神
1楼-- · 2019-12-19 03:52
mark!!这个写入函数不错!
Llinuxu
2楼-- · 2019-12-19 06:33
gaoxiaohu110 发表于 2016-5-29 22:42
楼主这个问题是怎么解决的,我现在也是遇到了跟你相同的问题,搞得我头都大了,我用的是原子的写FLASH函 ...

1、看看在正常情况下你的flash操作是否正常
2、写入的数据是否过大
3、在掉电中断中千万不要有察除动作,也就是你得在程序其他地方将你要在掉电中断中要用到的flash先进行察除,在中断中只写
raydsp
3楼-- · 2019-12-19 08:58
Llinuxu 发表于 2016-5-30 13:51
1、看看在正常情况下你的flash操作是否正常
2、写入的数据是否过大
3、在掉电中断中千万不要有察除动作, ...

怎样,将摖除函数和写函数分开?能分享程序吗?
raydsp
4楼-- · 2019-12-19 14:01
弱弱问一句,PVD没有硬件对应的接口吧,不需要端口配置?
zeroXone
5楼-- · 2019-12-19 18:08
 精彩回答 2  元偷偷看……
raydsp
6楼-- · 2019-12-19 21:51
zeroXone 发表于 2016-5-30 16:45
没有硬件接口,直接检测vdd,但是有个阈值判定设置:PWR_PVDLevelConfig(),在【stm32f10x_pwr.c】库文件里 ...

其实初始化,楼主已经给出了。楼主说过摖除和中断写分开。我自己分开有问题,会保存不了数据。所以想问问楼主怎么实现。比如楼主的写程序如下:怎么分开操作。


void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)        
{
        u32 secpos;           //扇区地址
        u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
        u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)           
        u16 i;   
        u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
        if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
        FLASH_Unlock();                                                //解锁
        offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
        secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
        secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
        secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
        if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
        while(1)
        {        
                STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
                for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
                {
                        if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
                }
                if(i<secremain)//需要擦除
                {
                        FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
                        for(i=0;i<secremain;i++)//复制
                        {
                                STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;         
                        }
                        STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
                }
                else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                    
                if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
                else//写入未结束
                {
                        secpos++;                                //扇区地址增1
                        secoff=0;                                //偏移位置为0         
                           pBuffer+=secremain;          //指针偏移
                        WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移           
                           NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
                        if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))
                        {
                                secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
                        }
                        else
                        {
                                secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
                        }
                }         
        }        
        FLASH_Lock();//上锁
}

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