IGBT 的损耗功率主要包括开关损耗和导通损耗，前者随开关频率的增高而增大，占整个损耗的主要部分;后者是IGBT控制的平均电流与电源电压的乘积。由于 IGBT是大功率半导体器件，损耗功率使其发热较多(尤其是Rg选择偏大时)，加之IGBT的结温不能超过125℃，不宜长期工作在较高温度下，因此要采 取恰当的散热措施进行过热保护。

　　散热一般是采用散热器(包括普通散热器与热管散热器)，并可进行强迫风冷。散热器的结构设计应满足：Tj=P△(Rjc+Rcs+Rsa)《Tjm 　　式中Tj-IGBT的工作结温

　　P△-损耗功率

　　Rjc-结-壳热阻vkZ电子资料网

　　Rcs-壳-散热器热阻

　　Rsa-散热器-环境热阻

　　Tjm-IGBT的最高结温

　　在实际工作中，我们采用普通散热器与强迫风冷相结合的措施，并在散热器上安装温度开关。当温度达到75℃～80℃时，通过 SG3525的关闭信号停止PMW 发送控制信号，从而使驱动器封锁IGBT的开关输出，并予以关断保护。