以前量产项目也有类似电路，但没有出现过此类不良情况。
    1、首先觉得不该是电容耐压16V不够。整机使用12V适配器供电，通过DC-DC转成1.52V给DDR3使用。实际测量1.52V没有看到有电源毛刺，Vref处的电压应该远低于16V。, z/ E, A" T. I+ v
    2、也不像是电源纹波导致。正常板子工作时1.52V纹波约60mV左右。0 a* E$ c( {2 q: w5 o9 Z# i$ L
    3、整个板子使用100多颗100nF电容，只有这5处电容表现出异常。可能其他线路上的100nF也出现过异常，但实际还没有发现。
    4、只有这5处电容工作电压是0.76V，会不会是因为低压导致的失效？网上倒是搜索到了相关信息，陶瓷电容在低电压时可能会出现失效。但DDR3 VREF使用电阻分压电路应该是比较成熟的，极少出问题才是。如果是低压失效导致，那我们以后使用DDR3L 1.35V（Vref电压只有0.675V），岂不是可能会出现更多不良情况？
    各位朋友有没有遇到过类似情况呢？或者帮忙分析一下是什么原因导致的。非常感谢！！！